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本发明提供一种宽安全工作区的半导体功率器件及其制备方法，包括：第一沟槽和第二沟槽，分别形成于外延层的不同区域；沟槽底部形成源极多晶硅层，源极多晶硅层外侧依次形成第三隔离层、第二隔离层和第一隔离层，源极多晶硅层上依次形成隔离氧化层和栅极多晶硅...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。

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