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本实用新型提供一种配置气体离子源的对靶磁控溅射装置，其包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有磁控靶、工件架及气体离子源。磁控靶呈对靶设置，且每组对靶中间均置有一工件架，工件架旋转过程中始终被控制在一组对靶中间；正对每组对靶中间的工件架...该专利属于深圳森丰真空镀膜有限公司;森科五金（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳森丰真空镀膜有限公司;森科五金（深圳）有限公司授权不得商用。