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本发明公开了一种TSSG法生长大尺寸晶体的设备和方法，本发明中的设备中包括一套层坩埚组件，其包括一外坩埚和设于所述外坩埚内的内坩埚，所述外坩埚固定于坩埚平台的表面，所述外坩埚的底部设有一凸柱，所述凸柱贯穿所述内坩埚的底部并伸入内坩埚内；一加...
该专利属于安徽芯享半导光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽芯享半导光电科技有限公司授权不得商用。

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