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本发明公开了一种超结结构的侧屏蔽栅优化垂直功率场效应晶体管，包括N+型衬底作为漏极，并在其上生长N型外延层，再在其之上生成的漂移区。漂移区的顶部设有P型沟道区、N+型掺杂的源极区以及P+区。栅极在P型沟道区和N+型源极区之间，通过栅极氧化层...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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