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本发明涉及一种β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及晶体生长方法。本发明以Na2B4O7‑金属氟化物作为β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂体系，Na2B4O7与金属氟化物的摩尔比为1～0.8：0.05～0.2，晶体生长温度区间为680～1150℃。与...
该专利属于上海应用技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海应用技术大学授权不得商用。

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