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一种无催化剂制备氧化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。该方法创新性地采用等离子增强化学气相沉积系统，以金属镓为镓源，无需任何催化剂介入，在均匀加热的石英管中，生长条件如下：温度(900‑950℃)、气体流量(Ar气...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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