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本发明涉及光电探测器领域，具体涉及一种垂直型锗硅雪崩光电探测器及其制备方法；从下至上依次包括绝缘体上硅衬底、本征硅层、本征锗层和P型锗层；本征硅层包括本征倍增层；本征倍增层上表面顶部设置有P型硅电荷层；P型硅电荷层沿周向设置有P型硅屏蔽环层...
该专利属于西安知芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安知芯半导体有限公司授权不得商用。

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