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本发明公开了一种高温热稳定的二维场效应晶体管及制备方法，主要解决目前二维场效应晶体管中二维材料高温下会氧化分解的问题。其自下而上包括:衬底(1)、绝缘封装保护底层(2)、二维材料薄膜层(3)、绝缘封装保护顶层(6)，栅电极(7)，薄膜层(3...该专利属于西安电子科技大学广州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学广州研究院授权不得商用。
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本发明公开了一种高温热稳定的二维场效应晶体管及制备方法，主要解决目前二维场效应晶体管中二维材料高温下会氧化分解的问题。其自下而上包括:衬底(1)、绝缘封装保护底层(2)、二维材料薄膜层(3)、绝缘封装保护顶层(6)，栅电极(7)，薄膜层(3...