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本发明公开了一种抗辐照超结功率MOS器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次层叠的衬底层、缓冲层和外延层，其中，外延层中设置有间隔排列的多个超结柱，每个超结柱的上方设置有body区；body区内设置相接触的孔掺杂区和源掺杂区；外延层的上表面...
该专利属于西安龙飞电气技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安龙飞电气技术有限公司授权不得商用。

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