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本发明公开了抑制铟镓砷盖革雪崩焦平面串扰的阵列结构及其制备方法。该阵列结构由上至下依次包括衬底、铟镓砷缓冲层、铟镓砷层、雪崩层和接触层；像元与像元之间采用深台面隔离沟槽进行隔离，深台面隔离沟槽的深度到达铟镓砷缓冲层；深台面隔离沟槽的底层和侧...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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