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本发明涉及微弧氧化处理技术领域，具体涉及一种可调控生成氧化亚铜的微弧氧化膜层及其制备方法。本发明以微弧氧化在金属或合金表面形成膜层，膜层的多孔结构中填充有CuO和Cu2O的混合物，所述Cu2O通过微弧氧化放电过程中700℃‑2000℃高温分...
该专利属于大连大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连大学授权不得商用。

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