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本发明公开了一种功率器件PCM监控结构及监控方法，涉及功率器件领域，本发明通过在晶圆的划片道设计及布局多个层叠设置的电阻条，该电阻条与SJ MOS中相邻的两个p柱相接，电阻条的数量与p柱的p型离子注入次数相同，通过测试划片道内电阻条的电阻值...
该专利属于龙腾半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过龙腾半导体股份有限公司授权不得商用。

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