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发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高压SiC MOSFET栅下抗辐射加固结构，包括漏极、半导体外延层、金属源极、栅极；所述半导体外延层包括衬底层、扩散层、P阱层以及重掺杂N阱层；其中，扩散层包括低掺杂N体区一和载流子存储层；相邻所述...
该专利属于北方工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北方工业大学授权不得商用。

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