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本发明公开了一种基于三元半导体金属氧化物的复合薄膜湿度传感器及其制备方法，属于半导体传感器领域，本发明在绝缘衬底上利用原子层沉积技术制备Sn‑Ti‑Zn‑O三元半导体金属氧化物薄膜，在无需贵金属催化剂辅助情况下，获得灵敏度高、响应/恢复迅速...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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