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本发明公开了一种多功能中间层修饰的硅基纳米线光电阴极，包括p‑Si基底层、纳米线形貌层、CdS层和MoS<subgt;2</subgt;助催化剂层；其制备方法为：(1)将p‑Si基底清洗干净，吹干备用；(2)在第一沉积液中沉积，...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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