温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于功率半导体技术领域，涉及一具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件。该结构通过添加一个与半桥下管并联的，具有与下管相同开关状态的Sub晶体管，在Sub晶体管开启的过程中实现了对衬底中所积累的电荷的释放，并通过Su...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。