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本发明涉及一种具有快恢复和低功耗特性的SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件包括：漏极金属接触；形成于漏极金属接触表面的衬底；形成于衬底表面的漂移区；形成于漂移区表面的N_CSL；形成于N_CSL表面的第一P_base；形成于...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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