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本发明提供了一种压力传感器和压力敏感芯片的谐振器结构及其调制方法，包括压电基底、电极以及SiO2覆盖层，电极设置在压电基底上，SiO2覆盖层覆盖电极及整个压电基底表面。通过调整SiO2覆盖层的厚度，对整个谐振器的温度特性进行调制。通过增加S...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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