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本发明公开了一种有机光电转换器件及其隧穿钝化层的制备方法。所述有机光电转换器件包括依次层叠的电子传输层、隧穿钝化层、有机活性层以及配合设置的空穴传输层;隧穿钝化层的材质包括SiO<subgt;x</subgt;和/或氮氧化硅。所...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种有机光电转换器件及其隧穿钝化层的制备方法。所述有机光电转换器件包括依次层叠的电子传输层、隧穿钝化层、有机活性层以及配合设置的空穴传输层;隧穿钝化层的材质包括SiO<subgt;x</subgt;和/或氮氧化硅。所...