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本发明公开了一种脉冲正偏压增强CVD金刚石异质外延形核的方法，属于CVD法异质外延单晶金刚石技术领域。首先将承载样品的钼托放置于CVD腔体中央的水冷台上，直流脉冲电源正极通过导线接到CVD设备天线上，直流脉冲电源的另一电极通过导线连接到CV...
该专利属于太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过太原理工大学授权不得商用。

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