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本发明涉及一种用于混合键合的晶圆表面介质层改性和图形控制方法，所述的方法包括如下步骤：将晶圆表面介质层进行第一CMP工艺处理，使金属层相对于表面介质层呈凸出形貌；在经过第一CMP工艺处理的表面介质层上进行PECVD工艺处理，沉积一层改性介质...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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