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本发明公开了一种隧穿欧姆接触P沟道GaN MOSFET器件结构及其制备方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、P型沟道层、P型重掺杂层和N型重掺杂层。N型重掺杂层上设有多个竖直孔洞，竖直孔洞贯穿N型重掺杂层；漏电极和源电极之间设置...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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