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本公开实施例提供了一种衬底及其制备方法、发光二极管芯片，属于半导体技术领域。该衬底包括第一蓝宝石层和位于第一蓝宝石层的第一表面的多个凸起，凸起包括主体和二氧化硅层，主体和二氧化硅层沿远离第一蓝宝石层的方向依次层叠，二氧化硅层覆盖主体的顶面以...
该专利属于京东方华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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