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本发明公开了一种准垂直型P‑FET器件、集成反相器及其制备方法，其中的准垂直型P‑FET器件包括：第一衬底以及依次设置于第一衬底上的第一半导体基础结构层和半导体漂移结构层；第一半导体基础结构层内形成二维空穴气；半导体漂移结构层包括依次设置于...
该专利属于安徽进步半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽进步半导体科技有限公司授权不得商用。

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