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本发明涉及射频器件领域，具体为一种基于GaAs IPD工艺的超宽带电桥，包括GaAs衬底，GaAs衬底包括三层金属层，且金属层包括金属层M1、金属层M2以及金属层M3，金属层M1、金属层M2以及金属层M3用于形成电桥的部分结构，且金属层M1...
该专利属于南京思维芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京思维芯半导体有限公司授权不得商用。

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