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本发明涉及电子元器件技术领域，具体涉及一种低维材料场效应晶体管表面栅介质层的制备工艺，包括：S1、将衬底置于ALD反应装置的腔室中，S2、向腔室内通入双氧水前驱体进行表面吸附，之后对腔室进行净化；S3、将腔室内的温度从室温升到50‑200℃...
该专利属于苏州烯晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州烯晶半导体科技有限公司授权不得商用。

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