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本发明公开了一种基于脉冲离子束的石墨烯单层去除方法，包括控制脉冲离子束的溅射能量和脉宽保持在多层石墨烯的缺陷表层和完整底层的溅射阈值之间，将脉冲离子束倾斜入射轰击多层石墨烯，从而选择性地去除缺陷表层的碳原子并同时保留完整底层的碳原子，本发明...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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