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本发明涉及半导体激光器技术领域，具体地，涉及超表面单元、半导体激光器及制备方法。该超表面单元包括：第一柱体和第二柱体，所述第一柱体和所述第二柱体依次由下至上设置；其中，所述第一柱体为的矩形光子晶体柱，通过矩形光子晶体柱用于抑制输出光的径向和...
该专利属于港理大（晋江）技术创新研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过港理大（晋江）技术创新研究院有限公司授权不得商用。

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