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本发明提供了一种基于有耗超表面和AMC结构的低RCS F‑P谐振腔天线，包括：位于上部的吸收型部分反射表面结构和位于下部的馈源天线结构；吸收型部分反射表面结构包括有耗超表面层、金属贴片共地层和金属贴片AMC1层，三者之间用第一和第二介质基板...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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