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本发明公开了一种栅极全环绕垂直晶体管器件，包括：半导体衬底、第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极和栅极；第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极从上到下依次堆叠在半导体衬底上表面；栅极覆盖在第一源极/漏极上表面、以及环绕在第一源极/漏极、沟道、...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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