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本发明公开了一种提高碳化硅外延片的掺杂均匀性和再现稳定性的方法，包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底置于反应腔室中的石墨载盘上，通入载气；(2)进行外延生长，调节反应腔室内的温度至生长温度，通入碳源和硅源作为生长源，通过化学反应合成生长薄膜，在...
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