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本发明属于人工晶体及辐射探测技术领域，涉及一种提升稀土正硅酸盐闪烁晶体性能的方法。所述提升稀土正硅酸盐闪烁晶体性能的方法包括：将稀土正硅酸盐闪烁晶体经过腐蚀、等离子体注入和退火扩散，最终实现稀土正硅酸盐闪烁晶体性能的提升。...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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