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本公开提供了一种集成器件及其制备方法，属于电力电子领域。该集成器件包括：沟道层、势垒层、发光结构、栅极、漏极和源极；所述沟道层和所述势垒层依次层叠，所述势垒层具有露出所述沟道层的凹槽，所述发光结构位于所述凹槽内，所述发光结构包括依次层叠在所...
该专利属于京东方华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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