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本发明涉及外延片生长技术领域，尤其涉及一种Hg‑CV探针法测量4H‑SiC外延层掺杂浓度纵深分布的方法，包括：针对成品4H‑SiC外延片，确定测量深度随偏压变化的关系，确定偏压；将待测4H‑SiC外延层自上而下依次均分为n份测量区域，每份测...
该专利属于江苏鑫华半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鑫华半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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