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本申请提供了无DRAM存储设备存储介质管理的方法，该方法包括：响应于收到的写命令指示了第一LBA地址和长度，为第一LBA地址分配连续的多个物理地址以及为写命令分配缓存中第一存储单元，将第一LBA地址、连续的多个物理地址中起始物理地址以及长度...
该专利属于北京忆芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京忆芯科技有限公司授权不得商用。

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