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本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种带隙可调的紫外发光的含Ga纳米晶的制备方法，包括以下步骤：S1：将锌前驱物、铟前驱物、镓前驱物、硫前驱物、有机胺和1‑十八烯加入三颈烧瓶中，混合均匀；S2：初始反应：将混合物在氮气保护下加热并保持，形...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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