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本发明公开了一种单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器，涉及光学检测技术领域，单光子雪崩二极管包括硅层和逻辑晶圆，硅层的顶部形成有填充区，填充区中填充有二氧化硅，硅层中设置有雪崩区和PN结；逻辑晶圆设置于硅层的底部，且逻辑晶圆与硅层相互...
该专利属于季华实验室所有，仅供学习研究参考，未经过季华实验室授权不得商用。

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