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本发明公开了一种Cr<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;/GaN异质pn二极管及其制备方法，二极管包括：自下而上依次设置的衬底层、Buffer层和N+GaN层；N+GaN层为鳍式结构；阴...
该专利属于苏州润沁电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州润沁电子材料有限公司授权不得商用。

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