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本发明的目的在于提供一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法，属于光电子器件散热领域。该光电探测器结构从下至上依次是：两层相互垂直的金刚石基液体流动通道、硅、垂直石墨烯及两侧源极和漏极，具体是将钼丝置于具有微槽道的硅衬底上生长金刚石膜，对...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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