温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了无DRAM存储设备低延迟处理读命令的方法，该方法包括：基于收到读命令指示的LBA地址确定出缓存中存储单元索引或者第一表中条目索引，根据存储单元索引或者条目索引获取读命令指示的LBA地址对应的物理地址；根据获取的物理地址访问NVM...
该专利属于北京忆芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京忆芯科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。