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本发明涉及一种直接在ＳｉＯ２衬底上制备二维纳米材料单层石墨烯片的方法，该方法包括（１）准备衬底并做净化处理；（２）处理块状高定向热解石墨或天然鳞片石墨；（３）机械加压法制备单层石墨烯片样品：调节压力在１０ｋｇ－２０ｋｇ大小，保持压力大小５－...
该专利属于国家纳米科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过国家纳米科学中心授权不得商用。

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