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一种用于制造离子阱的电极结构(206)的方法(100)，包括：提供(110)基底衬底(202)，包括布置在半导体层(210)上的绝缘材料(220)中的图案化金属化布置(230)；提供(120)包括介电材料(252)的绝缘衬底(250)；通过...
该专利属于弗劳恩霍夫应用研究促进协会所有，仅供学习研究参考，未经过弗劳恩霍夫应用研究促进协会授权不得商用。

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