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本发明公开了一种宽禁带半导体功率器件，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；宽禁带半导体层，设于衬底之上；若干源极沟槽和栅极沟槽，均平行分布于宽禁带半导体层，且两者间隔设置；源区，设于源、栅极沟槽之间的宽禁带半导体层中；第一源电极，设于...
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