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本技术提供了一种GaN帽层结构，属于GaN帽层技术领域，该GaN帽层结构用于氮化镓器件中，包括GAN器件，所述GAN器件设置有2DEG沟道，其中，所述GAN器件设置有p‑GaN帽层，所述p‑GaN帽层设置于所述GAN器件的2DEG沟道之上，...
该专利属于苏州创芯致尚微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州创芯致尚微电子有限公司授权不得商用。

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