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本发明提供一种集成沟槽和N型悬浮结的肖特基势垒二极管及制备方法，包括设于衬底上的外延层、设于外延层漂移区内的P型注入结构、设于外延层漂移区内的第一掺杂结构以及肖特基接触，其中，第一掺杂结构设于P型注入结构下方，以增加肖特基接触区域的掺杂浓度...
该专利属于TCL环鑫半导体（天津）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL环鑫半导体（天津）有限公司授权不得商用。

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