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本发明公开了一种提拉法生长晶体的坩埚及温场结构，所述坩埚为上端开口、下端封闭的筒体，所述坩埚从上至下依次包括晶体生长区、过渡区和保温区，所述过渡区和所述保温区用于容纳熔体，且所述过渡区和保温区在生长晶体时掩埋在温场结构的锆沙层中，所述晶体生...
该专利属于济南量子技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过济南量子技术研究院授权不得商用。

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