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本发明公开了一种基于双栅双沟道的N型漂移区积累型横向双扩散场效应晶体管及其制备方法，主要改善现有技术器件关断特性和导通电阻两者之间的矛盾关系。其包括：P型衬底、第一N型漂移区、槽栅介质层、N+漏区、积累介质层、顶层硅、源极、漏极和衬底电极，...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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