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本发明公开了一种有阵元位置约束的低峰值旁瓣稀疏阵列获取方法，其包括：对于均匀排列的直线阵列，定义优化模型，通过优化f的取值，以优化阵元的位置，使优化后的直线阵列方向图最大旁瓣电平MSLL最小；同时，需要满足稀疏后的直线阵列口径不变。本发明在...
该专利属于四川九洲电器集团有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川九洲电器集团有限责任公司授权不得商用。

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