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本发明公开了一种锗硅光电探测器，涉及光电探测器领域，包括条波导、掺杂的第一硅波导区、掺杂的第二硅波导区、锗层、掺杂锗层、锗上电极、以及硅上电极；硅上的电极包围住锗层的所有侧面，留下顶角处的缺口用于光信号的传输，这种全包围式电极降低了光电探测...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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