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本技术提供了一种增强型NMOS管的控制电路，包括负压产生单元；由第一三极管、第一二极管组成的导通单元；由第二三极管、第二二极管组成的关断单元；与现有技术相比，本技术将负载控制器输出的占空比脉冲信号与正电压输入至导通单元，通过导通单元控制增强...
该专利属于湖南海博智控科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南海博智控科技有限公司授权不得商用。

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